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MIC離子氮化+PVD
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產(chǎn)品詳情
MIC離子氮化+PVD

設(shè)備簡介

MIC離子氮化+PVD涂層設(shè)備是我公司新近研發(fā)生產(chǎn)的一體化鍍膜設(shè)備,這款設(shè)備采用新型大面積陰極電弧、磁控濺射、IET刻蝕輔助技術(shù)、離子源、離子氮化等鍍膜技術(shù),可以實現(xiàn)離子氮化加PVD涂層在同一制程中完成。這種雙工藝的組合使涂層表面具有更高的硬度,同時降低磨損。可廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車工業(yè)、切削刀具、模具及零部件。

設(shè)備特點

  • 離子氮化+PVD涂層一體化                                 
  • 滲氮速度快,2-3小時氮化深度可達到40-60微米
  • 滲氮深度和結(jié)構(gòu)的可控性強
  • 無氮化白層,涂層結(jié)合力好
  • 工藝程序高度重復(fù)運行
  • 穩(wěn)定的控制系統(tǒng),使操作更輕松
  • 遠程智能操控和診斷功能

設(shè)備參數(shù)

設(shè)備型號

MIC-N900

MIC-N1200

MIC-N1800

有效涂層區(qū)域

∅700×600

∅700×900

∅700×1500

可選配置

大面積陰極電弧、磁控濺射、離子氮化、離子源、燈絲、偏壓

涂層工藝時間

10-14h

涂層類別

TiN、CrN、TiCN、AlTiN、AlCrN、AlTiSiN、AlCrSiN等

系統(tǒng)最高溫度

500℃

沉積溫度

<500℃

最大載荷重量

1000Kg/2000Kg

涂層性能參數(shù)

涂層類型

涂層厚度(μm)

涂層硬度

(HV)

工作溫度

工藝周期

(h)

耐高溫氧化

耐腐蝕性

氮化涂層一體

8-12

3000-3500

460-480

10-14

優(yōu)

優(yōu)

 

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